隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、流媒體等新興技術(shù)及業(yè)務(wù)的不斷涌現(xiàn)，以及5G業(yè)務(wù)即將開始試商用布局，網(wǎng)絡(luò)帶寬壓力不斷增加，運(yùn)營商對單纖容量提出更高要求。相比于當(dāng)前部署的100G系統(tǒng)，400G技術(shù)具備帶寬更大、時(shí)延更低、比特成本和功耗更低等優(yōu)勢，部署400G系統(tǒng)來滿足帶寬需求已是大勢所趨。
通過創(chuàng)新性的采用VAD、OVD和RIC三步法工藝技術(shù)平臺，VAD工藝平臺開發(fā)的純硅芯松散體沉積技術(shù)，具備更高的芯棒沉積穩(wěn)定性和更均勻的氟元素?fù)诫s；自主開發(fā)設(shè)計(jì)的玻璃化摻雜工藝，具備摻雜更均勻、效率更高的特性，可顯著提高預(yù)制棒包層摻氟濃度和均勻性。
通過對純硅芯預(yù)制棒拉絲工藝研究，對G.654.E光纖預(yù)制棒剖面進(jìn)行梯度型設(shè)計(jì)，從而減少光纖拉絲過程的附加損耗。
通過項(xiàng)目研究可實(shí)現(xiàn)超低損耗大有效面積G.654.E光纖預(yù)制棒的生產(chǎn)能力，拉絲成的光纖衰減小于0.17dB/km @1550nm，有效面積可以達(dá)到要求的110/130 @1550nm。
